behlke高壓開(kāi)關(guān)FSWP 51-02用于容性阻性負(fù)載

behlke高壓開(kāi)關(guān)FSWP 51-02用于容性阻性負(fù)載

介紹

FSWP 型脈沖發(fā)生器是用于容性和阻性負(fù)載的通用電子高壓開(kāi)關(guān)器件。結(jié)合外部高壓電源和合適的控制信號(hào)源，

可以產(chǎn)生高壓方波脈沖。FSWP 脈沖發(fā)生器是可變導(dǎo)通時(shí)間器件，其輸出脈沖寬度由控制輸入的脈沖寬度控制。

由于推挽原理，連接的負(fù)載電容可以像放電一樣快速充電。在標(biāo)準(zhǔn)配置中，輸出僅為正輸出，

但 FSWP 可以與可選的負(fù)輸出或浮動(dòng)輸出配置一起訂購(gòu)。請(qǐng)注意，一旦在工廠制造出具一定的極性，

輸出的極性就無(wú)法改變。脈沖的上升時(shí)間主要取決于所連接負(fù)載元件的負(fù)載電容/寄生電容。

結(jié)構(gòu)和運(yùn)作方式

FSWP 脈沖發(fā)生器包含高壓推挽開(kāi)關(guān)元件和相關(guān)的驅(qū)動(dòng)電子元件。此外，還有內(nèi)部脈沖整形元件，

旨在為小容性負(fù)載產(chǎn)生干凈的方波輸出。

高壓開(kāi)關(guān)模塊由兩個(gè)電子開(kāi)關(guān)組成，采用推挽原理（半橋）工作。這些開(kāi)關(guān)由串聯(lián)的功率MOSFET

（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）組成，這些MOSFET由電隔離驅(qū)動(dòng)器控制同步觸發(fā)。

推挽裝置的一端接地在內(nèi)部完成（除非設(shè)備以浮動(dòng)配置訂購(gòu)）。為了匹配阻抗并保護(hù)開(kāi)關(guān)，內(nèi)置了串聯(lián)電阻器。

內(nèi)部陶瓷電容器確保外部高壓電源的充分緩沖。在標(biāo)準(zhǔn)配置中，晶體管是液冷的，

但FSWP可以在沒(méi)有液冷的情況下訂購(gòu)，盡管額定功率要低得多。控制電路保證了開(kāi)關(guān)的精確定時(shí)，

并監(jiān)控其溫度和重復(fù)率。為此，開(kāi)關(guān)模塊中集成了一個(gè)閾值為 75°C 的熱觸發(fā)器。過(guò)熱和頻率過(guò)高將導(dǎo)致開(kāi)關(guān)關(guān)閉。

操作

外部輔助電源輸入

為了使設(shè)備運(yùn)行，必須提供外部輔助電源。以下是所需的外部輔助電源列表：

外部輔助 +5VDC 電源

外部輔助 +15VDC 電源（選件 HFS） 

外部輔助 +120VDC 電源（選件 HFS）

控制輸入

控制輸入（觸發(fā)輸入）的輸入阻抗為 100 歐姆，閾值電壓約為 2 伏。允許連續(xù)輸入高達(dá) 6 伏，

在短時(shí)間內(nèi)輸入高達(dá) 10 伏，但為了實(shí)現(xiàn)低輸出抖動(dòng)，應(yīng)將 5 伏的輸入視為最佳輸入。控制信號(hào)在內(nèi)部進(jìn)行處理，

可防止控制脈沖不足對(duì)脈沖發(fā)生器輸出脈沖產(chǎn)生負(fù)面影響。輸出脈沖上升時(shí)間和輸出幅度都不會(huì)受到控制輸入的影響。

高壓輸入連接

FSWP 脈沖發(fā)生器不包含內(nèi)部高壓源。需要一個(gè)外部高壓電源，其極性與脈沖發(fā)生器的極性相匹配。

FSWP 脈沖發(fā)生器的高壓輸入通過(guò)位于前面板的 SHV 同軸連接器進(jìn)行。配套插頭包含在脈沖發(fā)生器中。

關(guān)于同軸電纜的選擇，有很多劣質(zhì)同軸電纜不適合高壓操作。僅使用具有“固體 PE"絕緣層的電纜。

RG-59/BU 的絕緣厚度略高，這將增加 RG-58 的額定電壓，但另一種選擇是選擇特種高壓電纜制造商，

例如 Teledyne Reynolds，部件號(hào) 167-9785，其尺寸與 RG-58 和 RG-59 相似，但電壓耐阻額定值為 40kV。

FSWP 51-02技術(shù)參數(shù)

尺寸[mm3] 175 x 80 x 45

電壓 [kV] 5.4

當(dāng)前 [A] 25

高壓脈沖寬度 50 納秒...∞  

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